基本特性

　　物理特性：

　　密度：10.2 g/cm3

　　熔點(diǎn)：2620℃

　　熱膨脹系數(shù)：4.8×10??/K（20-1000℃）

　　熱導(dǎo)率：138 W/(m·K)（20℃）

　　機(jī)械性能：

　　抗拉強(qiáng)度：500-700 MPa（室溫）

　　硬度：200-250 HV

　　化學(xué)特性：

　　耐大多數(shù)酸腐蝕（除熱濃硫酸、硝酸外）

　　高溫下易氧化（＞400℃需保護(hù)氣氛）

　　主要應(yīng)用領(lǐng)域

　　1.半導(dǎo)體工業(yè)

　　單晶硅生長爐的熱場組件

　　化學(xué)氣相沉積(CVD)設(shè)備內(nèi)襯

　　離子注入機(jī)部件

　　2.高溫?zé)崽幚?/p>

　　真空爐隔熱屏

　　燒結(jié)爐爐膛

　　高溫實(shí)驗(yàn)裝置

　　3.特種玻璃制造

　　玻璃熔煉電極保護(hù)套

　　光纖預(yù)制棒加工模具

　　4.航空航天

　　火箭發(fā)動機(jī)噴管襯套

　　高溫傳感器外殼

　　制造工藝

　　粉末冶金法（主流工藝）：

　　鉬粉等靜壓成型、高溫?zé)Y(jié)（2000-2200℃）、熱鍛/熱軋加工、精密機(jī)加工（車削、磨削）

　　熔煉加工法（高純度要求）：

　　電子束熔煉、鍛造開坯、冷軋成型